今日速览： 好的，根据您提供的论文信息，今天（指该速览发布日）的镍酸盐超导体领域共有两篇高度相关的论文。以下是今日推送的整体介绍： > — > 今日镍酸盐超导体领域研究速览 > 今日的两项研究工作分别从结构与电子相变、以及电子有序相与超导的关联性两大视角，深化了我们对层状镍氧化物超导机制的理解。 > 首先，来自巴黎-萨克雷大学等机构的团队通过高压-高温拉曼与红外光谱技术，系统描绘了双层镍酸盐 La₃Ni₂O₇ 的温度-压力相图。他们发现，压力诱导的晶格倾斜-无倾斜结构相变伴随着载流子浓度近两个数量级的跃升，并在相变边界附近观测到超导电性。这一工作建立了 结构与电子性质转变间的直接联系，为理解其高压超导机制提供了关键实验基石。 > 与此同时，布鲁克海文国家实验室等机构领导的另一项研究，聚焦于双层镍酸盐 La₂PrNi₂O₇ 薄膜。通过共振X射线散射与光谱学，他们有力证明自旋密度波 (SDW) 并非超导的前驱态，而是与 氧空位 相关的竞争相。该工作进一步提出，在超导相中，氧化学计量完好的区域其基态为稳健的层间五自旋极化子态，该态通过锁定面外轨道，使面内轨道行为趋近于铜氧化物与无限层镍酸盐的经典电子构型。 > 综上，这些研究不仅阐明了压力驱动超导的结构起源，更揭示了氧化学计量对电子态和超导-竞争相平衡的关键调控作用，为探索镍酸盐超导的微观机理提供了新的视角。

1. Metallic crossover through the tilt-free transition in La$_3$Ni$_2$O$_7$ at high pressure and temperature

  • 关联度评分: 6.0119
  • 作者: Bastien Michon, Yingpeng Yu, Beatrice D’Alò, Elena Stellino, Gergely Németh, Bosen Wang, Jianping Sun, Jinguang Cheng, Paolo Postorino, Ferenc Borondics, Francesco Capitani
  • 机构: Université Paris-Saclay
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01651v1

总结: 这篇论文通过高压和高温拉曼光谱结合同步辐射红外反射光谱，系统研究了双层镍氧化物La₃Ni₂O₇在压力诱导下的结构相变及其对电子性质的影响。实验发现，在室温下压力从0.8 GPa增至17 GPa时，材料经历从倾斜的Amam正交相到无倾斜的Fmmm（或I4/mmm）相的连续结构转变，转变区间约为6–15.25 GPa。拉曼光谱中360 cm⁻¹和565 cm⁻¹的声子模在高压下逐渐展宽、软化并最终消失，同时出现Fano线型，表明电子-声子耦合增强。高温实验表明，在常压下该结构转变的上限温度为544 K。红外反射率测量显示，随着压力增加，等离子体频率从3450 cm⁻¹（0.4 GPa）跃升至32000 cm⁻¹（16.9 GPa），对应载流子密度提高近两个数量级，标志着从不良金属到良金属的金属性穿越。基于这些结果，论文构建了温度-压力相图，明确了倾斜相、共存区和无倾斜相的边界，并指出超导电性（T_c约80 K）出现在结构转变边界附近（约6–7 GPa），与载流子密度增加和电子-声子耦合增强密切相关。这些发现建立了结构转变与电子性质之间的直接联系，为理解层状镍氧化物中超导机制提供了关键实验依据。

2. Interlayer Five-Spin Polaron in Superconducting Bilayer Nickelates

  • 关联度评分: 5.8975
  • 作者: Jiarui Li, Christopher T. Parzyck, Eder G. Lomeli, Yidi Liu, Taehun Kim, Heemin Lee, Zengqing Zhuo, Eun Kyo Ko, Yaoju Tarn, Cheng-Tai Kuo, Ronny Sutarto, Chunjing Jia, Vivek Thampy, Brian Moritz, Yijun Yu, Jun-Sik Lee, Valentina Bisogni, Thomas P. Devereaux, Harold Y. Hwang, Wei-Sheng Lee
  • 机构: Brookhaven National Laboratory, Lawrence Berkeley National Laboratory, SLAC National Accelerator Laboratory, Canadian Light Source, University of Florida, Stanford University
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.02891v1

总结: 该研究通过共振X射线散射和光谱学方法，系统探究了双层镍氧化物超导体La₂PrNi₂O₇薄膜中自旋密度波（SDW）与超导电性的关联。研究发现，在超导样品中，SDW信号仅出现在局部稀疏区域（如样品边缘或电极下方），而大部分区域（即氧化学计量完整的区域）无SDW信号；相反，缺氧的非超导样品中SDW均匀且强烈地分布在整个薄膜中。这表明SDW与超导电性在空间上相分离：氧化学计量完整区域无SDW且呈现超导性，而缺氧区域稳定SDW并抑制超导。Ni-L₃和O-K边光谱揭示，超导相呈现金属性（小或负电荷转移）基态，主要具有Ni d⁸和显著氧配体空穴特征，而缺氧相则出现局域化激发峰。O-K边XAS和RIXS进一步表明，缺氧会调制面内类Zhang-Rice单态和顶角配体空穴态的谱权重，尤其对c轴电子结构高度敏感。结合理论分析，研究提出超导基态中配体空穴主要位于层间顶角氧，形成稳健的层间五自旋极化子态（Ni(d⁸)-O(L)-Ni(d⁸)），该态锁定面外3dₓ²₋ᵧ²轨道的自旋和电荷构型，使面内3dₓ²₋ᵧ²轨道接近半填充，类似于铜氧化物和无限层镍酸盐的3d⁹特征。因此，氧化学计量是调控双层镍氧化物层间耦合和电子结构的关键参数，SDW并非超导前驱态，而是氧空位导致的竞争相。

3. Vortex Transport in Ni/Bi Bilayer Superconductor with Strong Spin-Orbit and Exchange Interaction

  • 关联度评分: 5.0861
  • 作者: Laxmipriya Nanda, Sohini Guin, Yasen Hou, Rajib Sarkar, Naresh Shyaga, Souvik Banerjee, A. Sundaresan, N. S. Vidhyadhiraja, Jagadeesh S. Moodera, Dhavala Suri
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.02677v1

总结: 本研究通过纵向和横向磁输运测量，系统研究了Ni/Bi双层异质结中的界面超导电性。Ni/Bi体系将铁磁金属Ni与强自旋轨道耦合金属Bi结合，虽然单组分在10 mK以下才超导，但双层结构却展现出约3-4 K的超导转变温度。为了揭示超导机制，我们进行了接近临界温度（Tc）的磁输运实验，并采用基于涡旋力平衡的模型（包含Magnus力和粘滞力）分析数据。结果显示，在垂直磁场下，孤立涡旋的运动产生反对称的横向电阻峰，这来源于竞争性的Magnus力和粘滞力。通过使用铁磁绝缘体EuS进行对照实验，证实超导性贯穿整个双层膜，而非仅局限于界面。进一步的分析表明，超导态为准二维特性，并表现出Berezinskii-Kosterlitz-Thouless（BKT）类型的相变行为。各向异性Ginzburg-Landau模型拟合得到相干长度各向异性比约为3.5。最终，实验结果与常规s波配对序参量的涡旋动力学图像完全一致，而非常规配对（如自旋三重态）的任何贡献都非常微弱。该研究为强自旋轨道耦合和磁性环境中超导输运提供了统一的理解框架。

4. Two distinct superconducting regimes in Ti4Co2O under pressures

  • 关联度评分: 4.7934
  • 作者: Lifen Shi, Keyuan Ma, Binbin Ruan, Zhen Wang, Pengtao Yang, Zhian Ren, Jianping Sun, Gang Li, Fabian O. von Rohr, Bosen Wang, Jinguang Cheng
  • 机构: University of Chinese Academy of Sciences, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Chinese Academy of Sciences, University of Geneva
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01893v1

总结: 通过对Ti4Co2O超导体在压力下的电输运测量，研究发现其超导转变温度Tc呈现非单调变化：最初以dTc/dP≈0.034 K/GPa的系数单调上升，在10-20 GPa区间快速下降，随后又以dTc/dP≈0.023 K/GPa的系数持续上升至69.7 GPa时的4.31 K。同时，上临界场Bc2(0)呈穹顶形压力依赖，在5 GPa达到最大值（约为常压下的两倍），且在整个压力范围内均超过弱耦合BCS理论的泡利顺磁极限。通过对比正常态和超导态性质，可识别出两个不同的超导区域：低压区（<12 GPa）具有增强的Bc2(0)和费米液体型电输运（指数n≈2）；高压区（>20 GPa）则表现为Tc单调升高且声子散射增强（指数n≈4）。室温同步辐射X射线衍射显示，直至55.8 GPa均未发生结构相变，其体模量约192 GPa，高于其他合金超导体。第一性原理计算表明，Tc的非单调变化与压缩下Ti4Co2O态密度的演化密切相关，这与同构的Ti4Ir2O和Nb4Rh2C超导体不同。结果表明，即使在弱自旋轨道耦合的Ti4Co2O中，超导电性对外界压力等刺激仍高度敏感。

5. Impurity-Scattering Assisted Umklapp Scattering as the Origin of Low-Temperature Resistivity in the Normal-State of Cuprate Superconductors

总结: 本文基于铜氧化物超导体的微观电子结构，系统研究了从欠掺杂赝隙相到过掺杂奇异金属相的正常态低温电阻率行为。研究中，作者采用t-J模型和费米子-自旋变换方法，通过玻尔兹曼输运方程推导了杂质散射辅助的自旋激发Umklapp散射对电阻率的贡献。结果显示，低温电阻率行为同时依赖杂质散射和Umklapp散射：杂质散射将分布函数的修正限制在反节点区域，而杂质辅助的Umklapp散射（由自旋激发介导）是电阻率温度依赖性的核心。在过掺杂奇异金属相，低温区域（高于某温度尺度）电阻率呈线性温度依赖（T-linear）；而在欠掺杂赝隙相，自旋赝隙的打开抑制了反节点附近的自旋激发态密度，削弱了该区域的Umklapp散射强度，从而导致电阻率呈二次温度依赖（T-quadratic）。该温度尺度与反节点自旋赝隙交叉温度相似，并随掺杂变化。此项工作为理解铜氧化物正常态电阻率从T-linear到T-quadratic的奇异转变提供了清晰的微观机制，强调了杂质散射与Umklapp散射协同作用的关键性。

6. Interfacial charge-induced adsorption mode for electron pairing in high-temperature superconductors

总结: 本文提出了一种高温超导体的电子配对机制——界面电荷诱导的吸附模式。以YBa₂Cu₃O₇超导体为例，研究发现电子与氧离子的价态柔性态（valence-flexible state）通过吸附势耦合，在CuO₂平面附近形成电荷调控的界面层。在这种界面层中，电子通过共享优化的界面结构并交换吸附模式（adsorption mode）产生强吸引力，从而形成库珀对。论文详细推导了电子间的有效相互作用势以及电子-吸附模式耦合强度，其中吸附耦合常数高达43.4。通过分析界面吸附力的各向异性，解释了d波配对对称性的来源，并阐明了赝能隙行为。利用无磁场下的一维金兹堡-朗道方程，得到了相干长度的表达式，计算值与文献结果非常接近。通过建立能隙方程，得到超导能隙约为18.37 meV，与扫描隧道显微镜/谱测得的17 meV高度一致。这些定量的预测结果验证了该理论框架的有效性。该机制将高温超导中的电子配对归因于界面吸附势驱动的选择性凝聚，为理解铜氧化物超导体的异常性质提供了新的视角。

7. Topological flat bands emerging at the inversion of stacking order in rhombohedral graphite

总结: 本文利用第一性原理计算研究了菱方石墨中不同堆叠构型的电子能带结构，特别关注费米能级附近可能出现的平带。当两种相反的菱方堆叠顺序（ABCABC…与CBACBA…）在界面处相遇时，计算发现布里渊区K和K’点附近会出现源于拓扑的平带。通过将垂直于石墨烯层的紧束缚模型映射到Su-Schrieffer-Heeger（SSH）链上，可以清晰地理解这些平带的物理起源：在堆叠反转的界面处，有效SSH模型处于拓扑相，从而在界面附近产生拓扑保护的零能边缘态。与伯纳尔-菱方界面不同（其平带态局域在伯纳尔区域而非界面），菱方反转界面的平带态电荷密度恰好集中在堆叠反转的界面层及其相邻层。研究发现，当两个反转界面之间的距离减小时，不同界面的态会发生杂化，导致平带之间打开小能隙；同时，随着二维波矢远离K/K’点，有效SSH模型会从拓扑相转变为平庸相，导致局域低能态消失。此外，文章还预测增大压力会增强层间hopping，从而增大平带在动量空间中的范围，有望提高超导转变温度。该工作表明，菱方石墨中自然存在的堆叠反转界面可能为高温超导提供理想平台，其界面平带比表面平带更具优势，因为外表面容易受到伯纳尔或AA堆叠缺陷的散射破坏，而内界面通常更尖锐、更规整。

8. Topological Ising superconductivity in two-dimensional p-wave magnet

总结: 本文研究二维p波磁体中的拓扑超导性，采用扩展Hubbard模型（包含 onsite 吸引和最近邻吸引），通过Bogoliubov-de Gennes (BdG) 方法求解超导不稳定性。该模型中，奇宇称交换场打破了自旋分裂电子结构的反转对称性，使得单态（s波）和三态（p波）序参量在同一A1对称性通道中混合。研究发现，主导不稳定性为耦合的s+p_x Ising态，其单态-三态平衡可通过最近邻吸引相对强度连续调节。当三态能隙振幅超过单态时，系统进入节点拓扑超导相，该相具有由动量分辨绕数保护的马约拉纳边缘态，这些态在有限动量区间内存在，边界对应体态点节点的表面投影。此外，垂直于交换场的塞曼场可在单态主导的能隙区域诱导Z2拓扑超导相。该工作揭示了p波磁体作为非相对论性拓扑超导平台的可能性，其交换分裂的强度远大于传统自旋轨道耦合，可提供更鲁棒的拓扑保护。

9. Revisiting the surface density of states of midgap Andreev edge states

总结: 本文重新审视了表面粗糙度对p波和d波超导体中中隙安德烈夫边缘态（MAES）的影响。在完美镜面反射表面下，MAES在费米能级处形成平带，导致表面态密度（SDOS）出现尖锐的中隙峰。先前理论研究表明，p波与d波超导体中的MAES对表面粗糙度的响应截然不同：d波态中，漫散射显著展宽SDOS的中隙峰，并在费米能级附近形成V形结构；而p波态的中隙峰则对漫散射保持鲁棒。本文采用准经典格林函数框架和随机R矩阵模型，阐明了这种对比行为的物理起源。关键分析发现，d波态中的平带由两种不同类型的MAES模式构成，模式间的漫散射导致中隙峰显著展宽并形成V形结构；而p波态平带仅存在单一MAES模式，因此漫散射只引起谱权重均匀重分布，零能峰依然尖锐。这些结果揭示了MAES对表面粗糙度响应的微观机制，为理解超导表面特性提供了新见解。

10. Spin-polarized Josephson current induced by inhomogeneous altermagnetic interlayers

总结: 我们研究了一个由两个交变磁层夹在超导电极之间的约瑟夫森结，其中每个交变磁层具有面内尼尔矢量且强度相同。利用紧束缚模型和递归格林函数方法，计算了约瑟夫森电荷和自旋电流。结果表明：当两层的尼尔矢量反平行（π取向）且厚度相等时，由质心动量驱动的超导对振幅空间振荡相互抵消，有效抑制了单层对破缺效应，从而显著提升临界电流并消除0-π跃迁；此时临界电流随结长单调衰减，不出现振荡行为。相反，在平行配置下临界电流快速振荡衰减。进一步地，当尼尔矢量非共线排列时，系统产生净自旋极化约瑟夫森电流，该自旋电流在零相位偏置下也存在，且其符号和大小可通过晶体取向高度调控。这一自旋电流是自旋三重态对关联的直接体现，源于交变磁交换场中自旋依赖的动量位移。我们的工作为实现无场、高度可调的零耗散自旋电子器件提供了新平台。

11. Composition-Driven Tunable Optical and Electrical Properties in Van der Waals Ferroelectric NbOI2-xClx Alloys

  • 关联度评分: 3.6258
  • 作者: Gaolei Zhao, Juhe Liu, Jinkai Huo, Tian Han, Yunhao Tong, Hu Wang, Konstantin Kozadaev, Andrei Zheltkovich, Changsen Sun, Alexei Tolstik, Andrey Novitsky, Lujun Pan, Dawei Li
  • 机构: Dalian University of Technology, Belarusian State University, Belarusian National Technical University
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01285v1

总结: 本文通过化学气相传输法成功制备了高质量、全组分范围的范德华铁电合金NbOI2-xClx，实现了成分驱动的光学与电学性能可调。结合实验表征与第一性原理计算，发现合金的晶格常数、声子模式和能带结构可在NbOI2与NbOCl2之间连续调控。二次谐波信号的强度和偏振图案随Cl含量显著变化：强度单调降低，偏振从四瓣形演变为两瓣形，为面内铁电性的可调性提供了光学证据。基于该合金的场效应晶体管表现出稳定的n型半导体行为，阈值电压和载流子迁移率可通过I/Cl摩尔比精确调节。此外，全组分二维NbOI2-xClx光电探测器均展现出优异的栅极可调电流开关比和强偏振敏感光响应。该研究提供了一种具有可调光学与电学性质的新型范德华铁电材料平台，为其在现代纳米光子学和纳米电子学中的应用铺平了道路。

12. Geometric Percolation Threshold Defines Half-Metallic Window in Vacancy-Doped Titanium disulfides

总结: 本研究通过第一性原理计算（密度泛函理论结合Hubbard U校正）与渗流理论分析，揭示了空位掺杂单层1T-TiS₂中绝缘体-半金属转变的几何渗流机制。方法上，采用GGA+U方法计算电子结构，并基于自洽电荷密度构建连续渗流模型，通过Hoshen-Kopelman算法识别空位网络团簇。主要结论：晶体场对称性破缺（O_h→C_{4v}）稳定了Ti 3d_{z²}轨道，产生约0.94 μ_B的局域磁矩，但自旋极化输运要求这些磁矩形成跨越团簇。在临界空位浓度x_c≈12.5%处，渗流转变使多数自旋杂质带从局域态(能带宽度<0.1 eV)转变为色散态(1.5 eV带宽)，实现100%自旋极化，且少数自旋带隙为1.0 eV。有限尺寸标度得到Fisher指数τ=2.09±0.03，与二维渗流普适类一致。超胞尺寸效应验证了该机制：相同浓度下，2×2超胞呈现反铁磁序，而4×4超胞因形成跨越团簇表现出铁磁序。通过交换耦合估算居里温度超过300 K，并发现x>20%时网络出现几何阻塞失稳。最终确定半金属功能窗口为11%<x<15%，建立了几何连通性作为缺陷工程化二维自旋电子学的定量设计原则。

13. Multi-probe detection of domain nucleation across the metal-insulator transition in VO$_2$

  • 关联度评分: 3.6073
  • 作者: Shubhankar Paul, Giordano Mattoni, Amitava Ghosh, Pooja Kesarwani, Dipak Sahu, Monika Ahlawat, Ashok P, Amit Verma, Vishal Govind Rao, Chanchal Sow
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01314v1

总结: 本论文利用多探针方法系统研究了二氧化钒（VO₂）薄膜在金属-绝缘体相变（MIT）过程中的畴成核与分布。研究采用脉冲激光沉积（PLD）和直流磁控溅射两种方法制备了不同晶粒尺寸（P-VO₂约40 nm，S-VO₂约20 nm）的VO₂薄膜，结合宏观电输运测量、一阶反转曲线（FORC）分析和红外热成像技术，从宏观与微观尺度揭示了畴分布的演变规律。FORC分布显示，大晶粒的P-VO₂样品呈现单一峰值，对应均匀的畴分布和对称的热滞回线（滞回宽度约9 K）；而小晶粒的S-VO₂样品则出现双峰分布，表明存在两种不同的畴分布（D1和D2），这与过冷金属畴在绝缘基质中稳定存在有关，导致非对称热滞（滞回宽度约16 K）。坐标变换后的FORC图进一步证实，P-VO₂具有单向不可逆性，对应单一导电路径；S-VO₂具有双向不可逆性，对应多个导电路径。红外成像直观展示了相变过程中金属畴的成核与生长：P-VO₂中金属畴从样品底部连续生长并合并；S-VO₂中畴成核点稀疏分散，形成多方向导电路径。研究建立了生长条件、畴间相互作用与畴成核过程之间的关联，指出晶粒尺寸减小带来更多表面态和晶界应变，促进了亚稳态过冷金属畴的形成，从而改变了MIT路径。这一多探针定量分析为理解强关联体系电子相变中畴动力学提供了重要依据。

14. Collinear ferromagnetism with reduced moment length in kagome magnet Nd3Ru4Al12

  • 关联度评分: 3.5040
  • 作者: Yuki Ishihara, Ryota Nakano, Rinsuke Yamada, Takuya Nomoto, Priya R. Baral, Moritz M. Hirschmann, Kamini Gautam, Kamil K. Kolincio, Akiko Kikkawa, Seno Aji, Hiraku Saitoh, Masaaki Matsuda, Yasujiro Taguchi, Taka-hisa Arima, Yoshinori Tokura, Taro Nakajima, Max Hirschberger
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01447v1

总结: 通过单晶中子衍射和极化中子实验，本研究确定了kagome晶格磁体Nd₃Ru₄Al₁₂的磁基态。实验发现该材料为共线铁磁体（hex-FM态），所有Nd位点具有均匀的磁矩长度（约2.1 μB/Nd），且磁序波矢Q=0。这一结果推翻了此前认为两个不等价Nd位点磁矩不等的正交铁磁（ortho-FM）模型。研究中对极化中子散射的翻转比分析进一步证实了hex-FM态，并排除了面内磁矩倾角的可能性。基于实验数据，该工作为理解Nd₃Ru₄Al₁₂在居里温度TC=41 K附近由热涨落诱导的显著霍尔效应和能斯特效应提供了微观基础。同时，电子结构计算表明ortho-FM态不稳定，倾向于转化为hex-FM态，且已测得的轨道磁矩被抑制。总之，该研究明确了轻稀土（如Nd）与重稀土（如Gd, Tb等）在该类化合物中的磁性差异——前者为简单共线铁磁，后者呈现复杂反铁磁序，从而解释了德根纳斯标度关系的偏离现象。

15. Dirac Semimetal Phase in Rhombohedral $β-$Cu$_{2}$Se

总结: 基于密度泛函理论的第一性原理计算，本文预测菱方相β-Cu₂Se是一种理想的狄拉克半金属。研究发现，在该相的体电子结构中，费米能级附近沿布里渊区kz方向存在两个受C₃z对称性保护的狄拉克点，且精确钉扎于费米能级。通过对比立方相α-Cu₂Se与菱方相β-Cu₂Se的能带演化，发现从立方到菱方的结构相变（类似于沿(111)方向施加拉伸应变）会打开原本的二次接触点能隙，但沿特定方向仍保持线性交叉的狄拉克色散。表面态计算采用紧束缚方法构建(100)面薄层模型，发现表面布里渊区中存在连接两个狄拉克点投影的费米弧表面态。这些费米弧具有类似拓扑绝缘体的螺旋自旋织构：电子自旋垂直于其速度方向，仅在狄拉克点投影附近呈现“全入/全出”排列。这种独特的自旋纹理与费米弧形状共同抑制了表面输运中的背散射和侧散射效应（自旋相反态正交导致散射矩阵元为零），因此表面电子有望实现超高的载流子迁移率和强各向异性电导。本文提出，β-Cu₂Se的狄拉克半金属相及其拓扑保护的费米弧表面态，为设计高迁移率电子器件提供了新的材料平台，其输运性质可能类似于已报道的狄拉克半金属Cd₃As₂和Weyl半金属NbAs中观测到的强量子振荡、大磁电阻效应等现象。

16. Quantum Limits of Electronic Transport in Nanostructured Macroscopic Conductors

  • 关联度评分: 3.4271
  • 作者: Agnieszka E. Lekawa-Raus, John S. Bulmer, Teresa Kulka, Magdalena Marganska, Nick Papior, Dwight G. Rickel, Fedor F. Balakirev, Jacek A. Majewski, Krzysztof Koziol, Karolina Z. Milowska
  • 机构: Warsaw University of Technology, Ikerbasque, Basque Foundation for Science, CIC nanoGUNE
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.02295v1

总结: 本文提出了一种统一的原子论框架（Landauer–Peierls–Molecular–Dynamics），将量子相干输运、热无序和磁场效应结合，并配合高达60 T的宽温区超高场磁输运测量，研究碳纳米管纤维中的电子输运。研究表明，正磁阻由结重叠长度控制，而负磁阻主要源于晶格失配的异质结，而非仅由弱局域化导致。对大尺度数值数据集的统计分析揭示，实验观察到的正二次磁阻起源于结输运。这些结果证明，无序低维网络中的宏观输运主要由结级量子干涉主导，而非仅由缺陷或掺杂决定。

17. Evidence for altermagnetic order in Cr-doped FeSb2

  • 关联度评分: 3.3704
  • 作者: A K M Ashiquzzaman Shawon, Eoghan Downey, Shane Smolenski, Thomas J. Hicken, Amir Henderson, Mingyu Xu, Trisha Musall, Rafael Lopes Sabainsk, Yuan Zhu, Weiwei Xie, Elena Gati, Lu Li, Zurab Guguchia, Na Hyun Jo
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.01088v1

总结: 本文通过合成Fe₁₋ₓCrₓSb₂单晶（重点研究Fe₀.₈₅Cr₀.₁₅Sb₂），结合电输运、磁化率及μ子自旋弛豫（μSR）测量，揭示了该体系中潜在的交替磁（altermagnetic）有序基态。磁化率测量表明在约3.5 K以下出现自旋补偿有序，磁矩沿晶格b方向排列。输运性质在低温下从大正磁阻转变为负磁阻，同时在3.5 K以下观测到反常霍尔效应，证明时间反演对称性发生破缺而净磁化为零。μ子自旋弛豫实验进一步确认了体磁有序的存在，且该有序来源于材料本身而非杂质相。这些结果支持Cr掺杂FeSb₂在低温下进入交替磁有序态，其特征为补偿的磁矩和破缺的时间反演对称性，与理论预测的交替磁行为一致。

18. Field-induced metal-insulator transition, Chern insulators, and topological semimetals in a clean magnetic semiconductor GdGaI

总结: 本研究聚焦于清洁磁性半导体GdGaI中非共面磁序（四子格三重$q$序）下的电子结构与拓扑相变。基于第一性原理结果，作者构建了一个有效的$k\cdot p$理论模型，该模型将Γ点的Ga $4p$空穴口袋与三个$M$点的Gd $5d$电子口袋通过四个交换通道耦合起来，从而描述磁序对能带的影响。研究发现，在反铁磁伞形态（净磁化为零）下，相图包含平庸绝缘体（陈数$C=0$）与$C=\pm4$的陈绝缘体相，两者被金属态区域分隔。通过推导Γ点附近的低能有效哈密顿量，作者揭示拓扑相边界对应两个简并的双重Weyl半金属，自然地解释了陈数跳跃$\Delta C=4$的起源。此外，当$p$-$d$交换耦合不存在时，费米能级附近出现类似节线的态，将$C=\pm4$相进一步分离。通过外磁场调节磁矩倾斜角，可驱动陈绝缘体相发生绝缘体-金属转变，而平庸绝缘体几乎不受影响；当均匀磁化交换耦合显著时，还能稳定额外的$C=\pm2$陈绝缘体相。这些结果证实GdGaI及其同族化合物是高度可调的纯净磁性半导体平台，适合研究拓扑相及场致金属-绝缘体转变。

19. Ab initio evidence for spin-polarized and soft-mode instabilities in D-type carbon schwarzite C136

总结: 本文对D型碳施瓦茨石C₁₃₆（136原子晶胞）进行了第一性原理计算，采用密度泛函理论（PBE泛函、PAW赝势）和平面波基组。非自旋极化计算显示其电子结构为金属性，费米能级附近存在显著的平带特征和高态密度。自旋极化计算收敛到一个磁序解，总磁矩约11.01 μB/晶胞，绝对磁矩约12.15 μB/晶胞，该自旋极化态的能量比非自旋极化态低约0.03687 Ry（约0.50 eV/晶胞）。利用Phonopy和Quantum ESPRESSO对78个对称性约化的位移构型进行有限位移声子计算，发现理想结构中存在明显的虚频模式，其中最软模出现在q = [0.5, 0.5, 0.5]附近，频率约-11.90 THz。这些结果表明，理想C₁₃₆并非简单的谐波稳定金属相，而是一个接近自旋和晶格对称破缺不稳定性的平带碳网络。可能的物理解释包括斯通纳型平带磁性和派尔斯或电荷密度波型结构重构。该工作不宣称超导态已被证实，而是将C₁₃₆及相关D型施瓦茨石识别为竞争性基态的候选平台，其中磁性、软模重构以及可能的掺杂或结构稳定超导相相互竞争。

20. Metastable MnBi$_2$Te$_4$ enabled by magnetic-field-assisted synthesis

  • 关联度评分: 3.3448
  • 作者: Abhinna Rajbanshi, G. M. Zills, Alexander M. Donald, Daniel Duong, David Graf, James J. Hamlin, Mark W. Meisel, I. Vekhter, Williams A. Shelton, Rongying Jin
  • 机构: University of Florida, University of South Carolina, Louisiana State University, National High Magnetic Field Laboratory
  • 链接: http://arxiv.org/abs/2605.02119v1

总结: 该研究通过磁场辅助合成方法（在9 T磁场中生长单晶）成功制备了亚稳态的MnBi$_2$Te$_4$单晶。X射线衍射证实晶体结构与零场生长样品相同（空间群R-3m），但晶格参数略有变化。磁化率、磁转矩、电阻率和比热测量表明，磁场生长的MnBi$_2$Te$_4$呈现出铁磁（FM）基态，居里温度约12.5 K，与零场生长样品的A型反铁磁（AFM）基态截然不同。低温磁化显示明显的磁滞回线和各向异性（易磁化轴沿c轴），矫顽场约0.08 T。高温磁化率的居里-外斯拟合给出正居里温度（约11.6 K）和有效磁矩约2.2 μ$_B$，表明Mn离子处于低自旋态（S=1/2），这与零场生长样品中Mn的高自旋态（S=5/2）不同。第一性原理计算支持实验结果，揭示了磁场辅助合成可有效重构自旋序，并改变电子性质，如磁转矩中观察到的de Haas-van Alphen振荡。这一发现表明，通过磁场辅助合成可以稳定亚稳态的FM相，为调控磁拓扑绝缘体的量子态提供了新途径。